UV-LIGA技术在多层微结构制备中的工艺研究  

The Process Study of UV-LIGA on the Manufacture of Multilayer MEMS Structure

作　　者：朱军[1] 汪红[1] 陈翔[1] 陈迪[1] 刘景全[1] 

机构地区：[1]上海交通大学微纳科学技术研究院,上海200030

出　　处：《压电与声光》2009年第5期706-708,共3页Piezoelectrics & Acoustooptics

基　　金：国家重点实验室基金资助项目(914OC7903070608;914OC7903060706)

摘　　要：UV-LIGA技术在制备多层复杂微结构时存在如何确保多层套刻对准精度,尺寸控制精度及层间良好结合的问题。该文对这些问题进行了分析与实验研究,实验证明,弱曝光是产生层间位移,影响套刻精度的原因之一,减少曝光所产生的应力应以不发生位移为前提;降低升降温速率能有效降低应力,提高层间结合性能,从而减少图形位移,确保套刻对准的精度。The alignment precision of rnultilayer microstrueture and the adhesion are the main two problems when the multilayer complex microstrueture is manufactured by UV-LIGA technology. The two problems are analyzed and experimentally studied in this paper. Experiments reveal that the reduction of the temperature gradient is benefit to the reduction of stress and the promotion of adhesion, so it is effective to promote the align precision.

关 键 词：UV—LIGA 多层 套刻精度 曝光 中烘 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]