电子元器件电离辐射试验结果与分析  

作　　者：张龙[1] 唐萍[2] 

机构地区：[1]中国合格评定国家认可中心,北京100062 [2]中国科学院空间科学与应用研究中心,北京100190

出　　处：《现代测量与实验室管理》2009年第5期17-18,共2页

摘　　要：本文在元器件电离辐射(总剂量)试验的基础上,分析了元器件性能下降的趋势,并探讨将可靠性理论引入辐射设计余量(RDM)计算的方法。

关 键 词：电离辐射 总剂量效应 失效率 可靠度 辐射设计余量 

分 类 号：R144[医药卫生—公共卫生与预防医学]