太赫兹量子级联激光器材料生长及表征  

Material growth and characterization of terahertz quantum-cascade lasers

作　　者：常俊[1] 黎华[1] 韩英军[1] 谭智勇[1] 曹俊诚[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

出　　处：《物理学报》2009年第10期7083-7087,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB310402);国家自然科学基金(批准号:60721004;60606027);上海市基础研究重大项目(批准号:06dj14008)资助的课题~~

摘　　要：采用气态源分子束外延方法生长了束缚态到连续态跃迁太赫兹量子级联激光器(terahertz quantum-cascade laser,简称THzQCL)有源区结构,并且采用电化学CV仪、霍尔测试仪以及高分辨X射线衍射对材料的质量进行表征,得出THzQCL有源区具有很高的晶体质量.另外,采用蒙特卡罗方法模拟了共振声子THzQCL器件的I-V曲线,分析了在不同偏压下子能级的对齐状况和电子的输运特征.We realized the growth of terahertz quantum-cascade laser（THz QCL）by gas source molecular beam epitaxy（GSMBE）.Electrochemical capacitance-voltage method,Hall measurement and high-resolution x-ray diffraction were used to evaluate the crystalline quality of the THz QCL active region.Meanwhile,we used an ensemble Monte Carlo method to investigate the carrier transport characteristics in a resonant-phonon THz QCL.Level alignment and electron motion under different applied biases are discussed in detail.

关 键 词：太赫兹 量子级联激光器 分子束外延 X射线衍射 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]