IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM  

出　　处：《中国集成电路》2009年第10期9-10,共2页China lntegrated Circuit

摘　　要：IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片，并称该芯片是半导体业界面积最小、密度最高、速度最快的片上动态存储器。IBM表示，使用SOI技术可使芯片性能提高30％，功耗降低40％，和32nm、22nm的片上SRAM相比，具有更理想的密度和速度。

关 键 词：嵌入式DRAM SOI技术 IBM 芯片性能 动态存储器 半导体业 SRAM 密度 

分 类 号：TN43[电子电信—微电子学与固体电子学] TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]