一种应用于GPS接收机的全单片CMOS低噪声放大器  

Design of a Single-chip CMOS LNA for GPS Receiver

作　　者：铁宏安[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2009年第3期356-359,共4页Research & Progress of SSE

摘　　要：采用0.18μm1.8V mixed CMOS工艺设计并实现了一种应用于GPS接收机的CMOS低噪声放大器,采用片内螺旋电感实现输入匹配和单片集成。测试结果表明在1.575GHz时,工作电流8mA,增益20dB,噪声系数小于1.7dB,IIP3为-10dBm。A CMOS LNA matching with on-chip inductor for GPS receiver was designed and fabricated using 0.18 μm mixed CMOS progress.The LNA worked at 8 mA/1.8 V,exhibited 20 dB gain with noise figure below 1.7 dB and-10 dBm IIP3.

关 键 词：全球定位系统接收机 互补-金属氧化物-半导体 低噪声放大器 噪声系数 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学] TN722.3