铁宏安

作品数：5被引量：4H指数：1
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：半导体金属氧化物低噪声放大器噪声系数赝配高电子迁移率晶体管更多>>
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一种应用于GPS接收机的全单片CMOS低噪声放大器被引量：1
《固体电子学研究与进展》2009年第3期356-359,共4页铁宏安 
采用0.18μm1.8V mixed CMOS工艺设计并实现了一种应用于GPS接收机的CMOS低噪声放大器,采用片内螺旋电感实现输入匹配和单片集成。测试结果表明在1.575GHz时,工作电流8mA,增益20dB,噪声系数小于1.7dB,IIP3为-10dBm。
关键词：全球定位系统接收机 互补-金属氧化物-半导体 低噪声放大器 噪声系数 
2．1GHz CMOS低噪声放大器
《固体电子学研究与进展》2008年第2期212-214,共3页铁宏安 李拂晓 李向阳 冯晓辉 姚祥 魏倩 张斌 翁长羽 
863计划项目(课题编号:2002AA1Z1620)
采用上海华虹NEC0.35μm标准CMOS工艺进行RFCMOS窄带低噪声放大器的设计和制作。测试结果表明,在2.1GHz时,输入驻波比1.1,输出驻波比1.5,增益18dB,噪声系数2.7dB,P-1dB输出功率9dBm。
关键词：射频 互补-金属氧化物-半导体 低噪声放大器 噪声系数 
改进的Triquint-Materka PHEMT模型
《固体电子学研究与进展》2006年第1期49-51,共3页李辉 洪伟 张斌 施江伟 铁宏安 
针对PHEM T器件的特点,在A nge lov模型和T riqu in t-M aterka模型的基础上给出了一种新的模型,新的模型在直流特性和S参数拟合结果上都有很好的表现。文章以南京电子器件研究所的400μm栅宽、0.5μm栅长的PHEM T器件为例,给出了直流及...
关键词：赝配高电子迁移率晶体管 模型 S参数 
修正的Angelov模型及其ICCAP提取方法
《固体电子学研究与进展》2005年第4期460-463,共4页李辉 洪伟 张斌 施江伟 铁宏安 
针对南京电子器件研究所的PHEMT器件的特点,对Angelov模型进行了修正,并用ICCAP编写了模型的抽取程序,以南京电子器件研究所的400μm栅宽、0.5μm栅长的PHEMT器件为例,给出了直流及S参数的拟合结果。
关键词：赝配高电子迁移率晶体管 模型 ICCAP 
用改进的遗传算法精确提取GaAs MESFET小信号等效电路参数被引量：3
《Journal of Semiconductors》2004年第7期869-873,共5页张有涛 夏冠群 高建峰 李拂晓 铁宏安 杨乃彬 
提出了一种改进的遗传算法 ,应用于提取 Ga As MESFET小信号等效电路参数 .改进的算法采用浮点编码连续突变 ,多种遗传操作合作运行 ,并应用子代优化策略克服了传统遗传算法可能出现的种群退化现象 ,该算法可快速搜索到全局最优解而不...
关键词：参数提取 遗传算法 模型 MESFET EEACC 2560B 0260 1350F 
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