用改进的遗传算法精确提取GaAs MESFET小信号等效电路参数  

Precise Extraction of GaAs MESFET Small Signal Model Using Improved Genetic Algorithm

作　　者：张有涛[1,2] 夏冠群[1] 高建峰[3] 李拂晓[3] 铁宏安[3] 杨乃彬[3] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所 [2]南京电子器件研究所,南京210016 [3]南京电子器件研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第7期869-873,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：提出了一种改进的遗传算法 ,应用于提取 Ga As MESFET小信号等效电路参数 .改进的算法采用浮点编码连续突变 ,多种遗传操作合作运行 ,并应用子代优化策略克服了传统遗传算法可能出现的种群退化现象 ,该算法可快速搜索到全局最优解而不受初始值限制 .在 0 .1～ 1 0 GHz范围内实现了精确、快速地提取 Ga As MESFET小信号等效电路参数 ,并可合理外推至 2 0 GHz,整个过程无需人工干预 .算法用 Matlab语言实现 ,可方便地应用于 HBT和HEMT以及无源元件电容。An improved genetic algorithm is proposed for the extraction of GaAs MESFET small signal model.It has the following characteristics:floating encoding and continuous mutation;many genetic operators working together;individual optimized.The improved genetic algorithm can quickly search the global optimum independence of the initial values.This algorithm is successfully used to determine the small signal equivalent circuit of GaAs MESFET from the measured S parameters in the range of 0 1GHz to 10GHz and can fit measured S parameters very well.The results can be extrapolated well up to 20GHz.It is implemented by Matlab and can be easily applied to the model parameter extraction of HEMT,HBT,capacitor,and inductor.

关 键 词：参数提取 遗传算法 模型 MESFET EEACC 2560B 0260 1350F 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学] TN386.3