改进的Triquint-Materka PHEMT模型  

An Improved Triquint-Materka PHEMT Model

作　　者：李辉[1] 洪伟[2] 张斌[1] 施江伟[1] 铁宏安[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016 [2]东南大学,南京210096

出　　处：《固体电子学研究与进展》2006年第1期49-51,共3页Research & Progress of SSE

摘　　要：针对PHEM T器件的特点,在A nge lov模型和T riqu in t-M aterka模型的基础上给出了一种新的模型,新的模型在直流特性和S参数拟合结果上都有很好的表现。文章以南京电子器件研究所的400μm栅宽、0.5μm栅长的PHEM T器件为例,给出了直流及S参数的拟合结果。This paper presents an improved model based on Angelov model and Triquint- Materka model to fit the PHMET performance. The new model can get good performance on DC result and S-parameter. Results including DC result and S-parameter,ere are shown for PHEMT （gate with 400 μm,gate length 0. 5 μm）from NEDI.

关 键 词：赝配高电子迁移率晶体管 模型 S参数 

分 类 号：TN72[电子电信—电路与系统]