2．1GHz CMOS低噪声放大器  

A CMOS Low Noise Amplifier at 2.1 GHz

作　　者：铁宏安[1] 李拂晓[1] 李向阳 冯晓辉 姚祥 魏倩[1] 张斌[1] 翁长羽[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016 [2]上海华虹NEC电子有限公司,上海201206

出　　处：《固体电子学研究与进展》2008年第2期212-214,共3页Research & Progress of SSE

基　　金：863计划项目(课题编号:2002AA1Z1620)

摘　　要：采用上海华虹NEC0.35μm标准CMOS工艺进行RFCMOS窄带低噪声放大器的设计和制作。测试结果表明,在2.1GHz时,输入驻波比1.1,输出驻波比1.5,增益18dB,噪声系数2.7dB,P-1dB输出功率9dBm。A 2.1 GHz RF CMOS LNA was designed and fabricated using 0.35 μm CMOS processes of Shanghai HuaHong-NEC Company. The LNA exhibits 18 dB power gain, 1.1 input VSWR, 1.5 output VSWR, 2.7 dB noise figure, and 9 dBm P-1dB output power at 2. 1 Ghz.

关 键 词：射频 互补-金属氧化物-半导体 低噪声放大器 噪声系数 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]