翁长羽

作品数：2被引量：1H指数：1
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发文主题：GAAS_MMIC高线性单刀双掷开关大功率开关大功率更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《电子与封装》更多>>
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一种200V/100A VDMOS器件开发被引量：1
《电子与封装》2010年第7期20-23,共4页焦世龙 翁长羽 晋虎 
分析了功率MOSFET最大额定电流与导通电阻的关系,讨论了平面型中压大电流VDMOS器件设计中导通电阻、面积和开关损耗的折衷考虑,提出了圆弧形沟道布局以增大沟道宽度,以及栅氧下部分非沟道区域采用局域氧化技术以减小栅电容的方法,并据...
关键词：功率器件 垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管 元胞 
2．1GHz CMOS低噪声放大器
《固体电子学研究与进展》2008年第2期212-214,共3页铁宏安 李拂晓 李向阳 冯晓辉 姚祥 魏倩 张斌 翁长羽 
863计划项目(课题编号:2002AA1Z1620)
采用上海华虹NEC0.35μm标准CMOS工艺进行RFCMOS窄带低噪声放大器的设计和制作。测试结果表明,在2.1GHz时,输入驻波比1.1,输出驻波比1.5,增益18dB,噪声系数2.7dB,P-1dB输出功率9dBm。
关键词：射频 互补-金属氧化物-半导体 低噪声放大器 噪声系数 
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