晋虎

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：VDMOS功率器件金属-氧化物-半导体场效应晶体管元胞更多>>
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一种200V/100A VDMOS器件开发被引量：1
《电子与封装》2010年第7期20-23,共4页焦世龙 翁长羽 晋虎 
分析了功率MOSFET最大额定电流与导通电阻的关系,讨论了平面型中压大电流VDMOS器件设计中导通电阻、面积和开关损耗的折衷考虑,提出了圆弧形沟道布局以增大沟道宽度,以及栅氧下部分非沟道区域采用局域氧化技术以减小栅电容的方法,并据...
关键词：功率器件 垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管 元胞 
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