修正的Angelov模型及其ICCAP提取方法  

An Enhanced Angelov Model and Its Parameter Extracting Method Using ICCAP

作　　者：李辉[1] 洪伟[2] 张斌[1] 施江伟[1] 铁宏安[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016 [2]东南大学,南京210096

出　　处：《固体电子学研究与进展》2005年第4期460-463,共4页Research & Progress of SSE

摘　　要：针对南京电子器件研究所的PHEMT器件的特点,对Angelov模型进行了修正,并用ICCAP编写了模型的抽取程序,以南京电子器件研究所的400μm栅宽、0.5μm栅长的PHEMT器件为例,给出了直流及S参数的拟合结果。This paper presents an Enhanced Angelov Model NEDI. The parameter extracting method using ICCAP is presented results and S-parameters etc. are shown for NEDI＇ s PHEMT （gate 0. 5 μm）. for PHEMT developed in too. Results including DC width 400μm, gate length

关 键 词：赝配高电子迁移率晶体管 模型 ICCAP 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]