高度择优取向单晶氧化锌纳米线的制备与发光特性  

作　　者：尹晓丽[1] 刘肃[1] 王秀华[1] 陈溶波[1] 

机构地区：[1]兰州大学物理科学与技术学院,甘肃兰州730000

出　　处：《甘肃科技》2009年第17期50-52,19,共4页Gansu Science and Technology

基　　金：东南大学MEMS教育部重点实验室开放研究基金资助课题

摘　　要：采用电场辅助电化学沉积法,在室温下成功的在阳极氧化铝模板(AAO)内制备了高度择优取向的硫掺杂ZnO单晶纳米线。用X射线衍射仪(XRD)、隧道电子显微镜(TEM)及选区电子衍射(SAED)对样品的形貌、结构进行分析表明,所得样品是高择优取向的单晶,纳米线,长约几到几十微米,平均直径约70nm。X射线光电子能谱(XPS)进一步证实掺杂硫原子的存在,并分析其生长机制。用荧光光谱仪(PL)分析了样品的发光特性,发现除了典型的ZnO纳米线荧光光谱外,还有紫光和蓝光发光。

关 键 词：微电子学与固体电子学 单晶ZnO纳米线 电化学沉积 光致发光 

分 类 号：O472[理学—半导体物理] O734[理学—物理]