3C-SiC(001)-(2×1)表面原子与电子结构研究  被引量:3

First-principles study on 3C-SiC(001)-(2×1)surface atomic structure and electronic structure

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作  者:刘福 周继承[1] 谭晓超[1] 

机构地区:[1]中南大学物理科学与技术学院,长沙410083

出  处:《物理学报》2009年第11期7821-7825,共5页Acta Physica Sinica

基  金:国家自然科学基金(批准号:60371046);湖南省科技重大专项资助的课题~~

摘  要:采用广义梯度近似的密度泛函理论方法计算了3C-SiC(001)-(2×1)表面的原子及电子结构.计算结果表明,3C-SiC(001)-(2×1)表面为非对称性的Si二聚体模型,其二聚体的Si原子间键长为0.232nm.电子结构的计算结果表明,在费米能级处有明显的态密度,因此3C-SiC(001)-(2×1)表面呈金属性.在带隙附近存在四个表面态带,一个位于费米能级附近,一个位于费米能级以上5eV处,另外两个位于费米能级以下的价带中.We calculate the atomic and electronic structure of 3C- SiC(001)-(2×1) using density functional calculations within the generalized gradient approximation. The calculated results show that the atomic structure of 3C-SiC(001)-(2×1) surface can be described by dissymmetrical Si dimmer model. The bond length of Si dimmer of 3C-SiC(001)-(2×1) surface is 0.232 nm. The calculated results of electronic structure show that a prominent density of states exists at the Fermi level, so the 3C-SiC(001)-(2×1) surface has the characteristics of metal. There are four surface state bands in the gap, one of which is located near the Fermi level, another at 5 eV above Fermi level, and the others in the valence bands below Fermi level.

关 键 词:碳化硅 密度泛函理论计算 原子结构 电子结构 

分 类 号:O485[理学—固体物理]

 

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