发蓝绿光纳米硅薄膜的快速热处理制备  

PREPARATION OF NANOCRYSTALLINE Si FILMS WITH GREEN/BLUE PHOTOLUMINESCENCE BY RAPID THERMAL PROCESSING

作　　者：刘世祥[1] 朱美芳[1] 石万全[1] 刘渝珍[1] 韩一琴[1] 刘金龙[1] 陈国 孙景兰[1] 陈培毅[2] 唐勇[2] 

机构地区：[1]中国科学技术大学研究生院 [2]清华大学微电子所

出　　处：《发光学报》1998年第3期212-215,共4页Chinese Journal of Luminescence

基　　金：中国科学技术大学研究生院(北京)院长基金

摘　　要：使用除氢、高温成核和低温生长的三段式快速热处理方法，将常规方法制备的氢化非晶硅（ａ－ＳｉＨ）薄膜晶化成纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ）薄膜．该薄膜在波长为４５７．９ｎｍ的Ａｒ＋激光的激发下，在室温发射出蓝绿光．Nonocrystalline Si (nc Si) thin films were prepared by crystallization of the hydrogenaed amorphous Si (a Si) films using the three step Rapid Thermat Processing (RTP), i. e. evolution of the hydrogen, nucleation at high temperature and growth at low temperture. Green/Blue light emisson from the nc Si thin films were observed under excitaion of Ar + laser (457 9nm)at room temperature.

关 键 词：蓝绿光荧光 纳米硅 薄膜 快速热处理 非晶硅 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学] TN304.055