朱美芳

作品数：15被引量：56H指数：4
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发文主题：氧化硅热丝法稳定性SIO非晶硅更多>>
发文领域：电子电信理学电气工程更多>>
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共溅射和离子注入制备的SiO_2(Eu)薄膜中Eu^(3+)到Eu^(2+)的转变被引量：1
《物理学报》2001年第3期532-535,共4页刘丰珍 朱美芳 刘涛 李秉程 
采用共溅射方法和Eu离子注入热生长的SiO2 方法得到SiO2 (Eu)薄膜 ,Eu离子的浓度为 4%和 0 .5 % .对样品X射线吸收近边结构 (XANES)的研究和分析表明 ,在高温氮气中发生了Eu3+向Eu2 +的转变 .SiO2 (Eu)
关键词：XANES 共溅射 铕离子注入 二氧化硅薄膜 稀土掺杂半导体材料 
铕离子注入氧化硅膜光发射的研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1999年第10期841-845,共5页王亮 朱美芳 郑怀德 侯延冰 刘丰珍 
采用铕离子注入热生长ＳｉＯ２ 薄膜的方法，获得掺杂剂量为１０１４ｃｍ － ２及１０１５ｃｍ － ２的ＳｉＯ２∶Ｅｕ３＋ 硅基复合膜，研究了该薄膜的光致发光退火特性．经１０００℃退火后观察到Ｅｕ３＋ 的红光发射．在１２００℃...
关键词：铕 离子注入 氧化硅 膜光发射 
高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究被引量：20
《物理学报》1998年第9期1542-1547,共6页郭晓旭 朱美芳 刘金龙 韩一琴 许怀哲 董宝中 生文君 韩和相 
国家自然科学基金
采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜．其结构特征用Ｒａｍａｎ谱，红外透射谱，小角Ｘ射线散射等来表征．结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比χｃ随氢稀释度的提高而增加．而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释...
关键词：氢化 微晶硅 薄膜 微结构 非单晶硅 
发蓝绿光纳米硅薄膜的快速热处理制备
《发光学报》1998年第3期212-215,共4页刘世祥 朱美芳 石万全 刘渝珍 韩一琴 刘金龙 陈国 孙景兰 陈培毅 唐勇 
中国科学技术大学研究生院(北京)院长基金
使用除氢、高温成核和低温生长的三段式快速热处理方法，将常规方法制备的氢化非晶硅（ａ－ＳｉＨ）薄膜晶化成纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ）薄膜．该薄膜在波长为４５７．９ｎｍ的Ａｒ＋激光的激发下，在室温发射出蓝绿光．
关键词：蓝绿光荧光 纳米硅 薄膜 快速热处理 非晶硅 
晶粒尺寸分布对纳米晶硅薄膜喇曼散射谱的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》1997年第9期674-678,共5页许怀哲 朱美芳 韩一琴 侯伯元 
国家博士后科学基金;中国科学技术大学研究生院院长基金
用热丝助化学汽相反应法沉积了nc－Si：H薄膜，测量了它的喇曼散射谱，由透射电子显微镜直接测量了晶粒的大小和分布．应用声子强限制模型和球形粒子假设，并考虑到纳米晶粒的分布对样品的喇曼散射谱进行了拟合．结果表明，在考虑到纳...
关键词：纳米晶硅 薄膜 喇曼散射谱 晶粒尺寸分布 
纳米晶Ge颗料镶嵌SiO_2复合膜的多峰光致发光及其机理被引量：4
《Journal of Semiconductors》1997年第6期417-423,共7页许怀哲 朱美芳 侯伯元 陈光华 马智训 陈培毅 
国家博士后科学基金;中国科学技术大学研究生院院长基金;半导体超晶格国家重点实验室的部分资助
用射频（RF）共溅射和热退火处理的方法制备了纳米锗颗粒镶嵌SiO2复合薄膜（nc－Ge／SiO2），观察到了多峰的光致发光现象，发现随着激发光波长的增长，多峰发光谱的最强峰向低能方向移动，但是各子峰的位置不发生改变，而且不同样品的...
关键词：纳米锗颗粒 二氧化硅 复合薄膜 多峰光致发光 
热丝法制备纳米晶硅薄膜结构及沉积机制的研究被引量：7
《物理学报》1997年第10期2015-2022,共8页陈国 郭晓旭 朱美芳 孙景兰 许怀哲 韩一琴 
国家自然科学基金
用热丝法制备了纳米晶硅薄膜．通过Ｒａｍａｎ散射谱及Ｘ射线谱，系统地研究了沉积气压Ｐｇ、高Ｈ２稀释及衬底与钨丝之间距离对沉积速率、纳米硅薄膜的形成和结构等的影响．计算了沉积过程中的温度场分布．讨论了沉积过程中反应基元的...
关键词：热丝法 纳米晶 硅 薄膜结构 沉积 
镶嵌在氧化硅薄膜中纳米晶硅的可见光荧光谱与发光机制的研究被引量：14
《物理学报》1997年第8期1645-1651,共7页朱美芳 陈国 许怀哲 韩一琴 谢侃 刘振祥 唐勇 陈培毅 
中国科学技术大学研究生院院长基金
采用对非晶氧化硅薄膜退火处理方法，获得纳米晶硅与氧化硅的镶嵌结构．室温下观察到峰位为２４０ｅＶ光致发光．系统地研究了不同退火温度对薄膜的Ｒａｍａｎ谱、光荧光谱及光电子谱的影响．结果表明，荧光谱可分成两个不随温度变化...
关键词：荧光谱 可见光 氧化硅 薄膜 纳米晶硅 发光性 
用热丝法制备优质稳定非晶硅薄膜的研究被引量：6
《太阳能学报》1997年第3期269-272,共4页陈国 朱美芳 孙景兰 郭晓旭 苏夷希 
系统地研究了低压热丝化学汽相沉积技术中沉积气压、衬底温度、钨丝温度等参量对氢化非晶硅膜结构、光电特性及稳定性的影响。结果表明，沉积气压是影响非晶硅膜的最主要参数，在优化沉积参数的条件下制备非晶硅。
关键词：热丝法 稳定性 太阳能电池 非晶硅薄膜 
用光热偏转谱拟合计算研究非晶硅缺陷态及其稳定性被引量：2
《电子学报》1996年第2期119-123,共5页朱美芳 罗光明 
国家自然科学基金;中国科大研究生院基金
通过光热偏转谱（ＰＤＳ）研究了衬底温度对用超高频辉光放电（ＶＨＦ－ＧＤ）制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ光学特性的影响。考虑了电子在缺陷态的相关统计，数字拟合各样品在不同亚稳状态下ＰＤＳ次带吸收谱（０．８～１．７ｅＶ）．获得带尾态...
关键词：非晶硅缺陷 光热偏转 稳定性 半导体薄膜技术 
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