铕离子注入氧化硅膜光发射的研究  

Photoluminescence From Eu Implanted SiO\-2 Thin Films

作　　者：王亮[1] 朱美芳[1] 郑怀德[2] 侯延冰[3] 刘丰珍[1] 

机构地区：[1]中国科技大学研究生院物理系 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083 [3]北方交通大学光电子研究所,北京100044

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第10期841-845,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：采用铕离子注入热生长ＳｉＯ２ 薄膜的方法，获得掺杂剂量为１０１４ｃｍ － ２及１０１５ｃｍ － ２的ＳｉＯ２∶Ｅｕ３＋ 硅基复合膜，研究了该薄膜的光致发光退火特性．经１０００℃退火后观察到Ｅｕ３＋ 的红光发射．在１２００℃下氮气中退火观察到Ｅｕ２＋ ４５０ｎｍ 的强光发射．讨论了Ｅｕ３＋ 向Ｅｕ２＋The Eu doped SiO\-2 thin films are prepared by Eu ion implantation.The implanted doses of Eu ions are 10 14 cm -2 and 10 15 cm -2 ,respectively.No photoluminescence is observed for as\|implanted thin films.After annealing at 1000℃ in N\-2,the red light emission from doped SiO\-2 film,corresponding to the 5D\-0→ 7F J transition of Eu 3+ ,is observed.As the annealing temperature rises to 1200℃,a strong light emission band at wavelength of 450nm appears.The transition from Eu 3+ to Eu 2+ has been discussed.

关 键 词：铕 离子注入 氧化硅 膜光发射 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学] TN304.21