前驱气体CH_4、N_2的流量比对CH_x膜Raman谱的影响  

The Influence of Flow Ratio of Precursor Gas CH_4 and N 2 on Raman Spectra of CN_x Films

作　　者：辛煜[1] 范叔平[1] 狄国庆[1] 沈明荣[1] 甘肇强 

机构地区：[1]苏州大学

出　　处：《材料科学与工程》1998年第3期77-79,共3页Materials Science and Engineering

摘　　要：沉积在Ｓｉ（１００）基片上的ＣＮｘ膜是用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＷＰＣＶＤ）制备的。本文着重探讨了ＣＨ４、Ｎ２的流量比对ＣＮｘ膜的Ｒａｍａｎ谱的影响，并采用了Ｘ－射线光电子能谱（ＸＰＳ）方法分析了ＣＮｘ膜的化学状态。CN x films were deposited on the Si(100) substrates with microwave plasma CVD method. In this letter, we mainly discuss the influences of the flow ratio of precursor gases CH 4 and N 2 on Raman spectra of CN x films and analyze the chemical states of CN x films with X-ray photoelectron spectrum(XPS).

关 键 词：CNx膜 拉曼光谱 薄膜制备 前驱气体 CVD 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理] O484.41[理学—物理]