HgCdTe注入工艺研究  

STUDY ON IMPLANTIVE TECHNOLOGY OF HgCdTe

作　　者：刘心田[1] 包昌珍 刘志衡 褚君浩[1] 李韶先[2] 周茂树 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室,上海200083 [2]航天工业总公司津航技术物理所,天津300192

出　　处：《红外与激光工程》1998年第5期36-38,共3页Infrared and Laser Engineering

基　　金：中国科学院上海冶金所离子束开放实验室资助项目

摘　　要：HgCdTe是制造焦平面阵列最受关注的材料,注入掺杂又是研制焦平面阵列极有前途的工艺方法。但HgCdTe特性"娇嫩",如Hg易分凝,因此研究这种材料的注入工艺成为首要的条件。考察了注入功率引起样品升温的影响,研究了不同注入能量、束流密度、剂量、元素等与材料之间性能变化的关系。通过离子注入HgCdTe的热学分析,实验研究了HgCdTe注入的工艺条件,束流与注入能量是Hg分凝的主要因素。HgCdTe is an interested material for IR FPA. Ion implantation is a very important process in fabricating IRFPA. It is considered that the performance of HgCdTe material is related to the different implantive parameters and sample temperature. Based on the thermological analysis of HgCdTe by ion implantation, the implantive process for HgCdTe at the experiment is investigated. It shows that the ion beam currents Ⅰ and the implantive energies E are the main factors on the Hg segregation.

关 键 词：碲镉汞 离子注入 红外探测器 

分 类 号：TN215.05[电子电信—物理电子学]