一种应用于锁相环的增益提高型电荷泵设计  被引量:2

Design of a Gain-Boosting Charge Pump for Phase-Locked Loops

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作  者:郭喜俊[1] 殷景华[1] 宋明歆[1] 翟明静[1] 

机构地区:[1]哈尔滨理工大学应用科学学院,黑龙江哈尔滨150080

出  处:《微电子学与计算机》2009年第12期132-135,共4页Microelectronics & Computer

摘  要:采用0.18μm1.8V CMOS工艺设计一种增益提高型电荷泵电路,利用增益提高技术和折叠式共源共栅电路实现充放电电流的匹配.该电荷泵结构可以很大程度地减小沟道长度调制效应的影响,使充放电电流在宽输出电压范围内实现精确匹配,同时具有结构简单的优点.仿真结果表明,电源电压1.8V时,电荷泵电流为600μA,在0.3~1.6V输出范围内电流失配为0.6μA,功耗为3mW.A gain - boosting charge pump that can be used in PLL is achieved through a 0.18μm 1.8V CMOS process. In addition to gain - boosting technology, folded - cascode is utilized to make the charge and discharge current match. The circuit proposed can greatly reduce the effect of the channel- length modulation, which makes the charge and discharge current match accurately in a wide output voltage range. It also has a feature of simple. Simulation results show that the charge pump current is 600p.A and the current mismatch is 0.6μA in the output range of 0.3- 1.6V, with power consumption of 3mW at 1.8V.

关 键 词:电荷泵 电流失配 增益提高 折叠式共源共栅 

分 类 号:TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]

 

参考文献:

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