隧道磁电阻效应的原理及应用  

Principle and Application of Tunneling Magnetoresistance Effect

作　　者：吉吾尔.吉里力 拜山.沙德克[1] 

机构地区：[1]新疆大学物理科学与技术学院,乌鲁木齐830046

出　　处：《材料导报（纳米与新材料专辑）》2009年第2期338-340,349,共4页

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50661005);新疆大学博士启动基金资助项目(BS050101)

摘　　要：隧道磁电阻具有饱和磁场低、工作磁场小、灵敏度高、温度系数小等优点,在磁随机存取存储器(MRAM)、TMR磁头和磁传感器等自旋电子器件上颇受欢迎,有着广阔的应用前景。重点介绍了隧道磁电阻效应中自旋相关输运特点及原理,阐述了最近几年国内外最新研究进展,最后讨论了隧道磁电阻效应在实际应用中所面临的一些问题。The tunneling magnetoresistance （TMR） effect has promising applications in the spin-electronic decvices such as magnetic random access memory（MRAM）, TMR-read heads and magnetic sensors because it has the properties of smaller saturated field, lower power consumption, better sensitivity, lower temperature coefficient etc. Transimission principle of spin related TMR effect is described at the beginning. Then the latest research results are shown. In the end, the challenges of TMR effect in further application are discussed.

关 键 词：隧道磁电阻效应 磁隧道结 MGO AL2O3 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程] TP333.1[自动化与计算机技术—计算机系统结构]