微带线碳化硅E类功率放大器设计  

Design of Transmission-Line Silicon Carbide Class-E Power Amplifiers

作　　者：徐志超[1] 吕红亮[1] 张玉明[1] 张义门[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安710071

出　　处：《微电子学》2009年第6期765-768,共4页Microelectronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60606022)

摘　　要：SiC MESFET由于其高击穿电压和低输出电容,适合用于设计E类功率放大器。设计了一种结构简单的微带线拓扑E类负载网络,可以匹配至标准电阻,且抑制高至5阶的谐波。用ADS软件进行电路仿真,在2.14 GHz频率点下,峰值功率附加效率(PAE)为70.5%,漏极效率可达80%,功率增益约为10 dB。Silicon carbide （SIC） metal-semiconductor field effect transistors （MESFET） is a perfect choice for Class-E power amplifiers （PA） due to its high breakdown voltage and low output capacitance. A simple transmission-line Class-E load network was proposed, which could be matched to standard resistance and had a harmonic suppression up to the 5th order for maximum efficiency. Results from ADS （Advanced Design System） simulation showed that, at 2. 14 GHz, the circuit had a peak power added efficiency （PAE） of 70. 5%, drain efficiency of 80% and power gain of 10 dB.

关 键 词：E类功率放大器 SiC MESFET 微带线 谐波抑制 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统]