LPL3层膜的结构、磁性和磁电阻效应的研究  

作　　者：熊曹水[1,2] 皮雳[1] 汤业庆[1] 朱弘[1,2] 宗登刚 张骏峰 邓云飞 朱警生[1] 张裕恒 

机构地区：[1]中国科学技术大学结构分析开放实验室 [2]中国科学技术大学物理系,合肥230026

出　　处：《中国科学（A辑）》1998年第11期1042-1047,共6页Science in China(Series A)

基　　金：中国科学院KJ95 1 Al 40 1项目;安徽省自然科学基金资助项目

摘　　要：采用直流溅射法在 ( 1 0 0 )LaAlO3 单晶基片上制备了La0 67Sr0 3 3 MnO3 +δ/Pr0 7Ca0 3 MnO3 +δ/La0 67Sr0 3 3 MnO3 +δ(简称为LPL) 3层膜 .用X射线粉末衍射法(XRD)研究了系列样品的摇摆曲线和衍射全图 ,结果表明所有的样品均为高度取向的外延膜 .SQUID磁强计的测量结果证实了 3层膜中磁耦合的存在 .用常规的四端引线法测量了LSMO、PCMO和LPL 3层膜的电阻 ,分析了logρ 1 /T曲线 .由此可以得出如下结论 :具有铁磁性的PCMO中间层在 3层膜中可能起到了内磁场的作用 ,使得LSMO膜的顺磁性被削弱 ,这个作用与外加磁场的作用一样 ,降低了 ρmax,增大了由金属到半导体的转变温度Tp;PCMO中间层还诱发了LSMO的能隙中的态密度的变化 .以上两个原因使得在零场中样品的电阻率和Tp 随着中间层PCMO的厚度变化而明显变化 .

关 键 词：磁电阻 LPL 三层膜 磁性 结构 薄膜 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理] O484.43[理学—物理]