等离子体源特性及其应用  

The Study on Plasma Source and Applying Technology

作　　者：李国卿[1,2] 李剑锋 N.果瓦里[3,4] 钟志源 

机构地区：[1]大连理工大学 [2]托木斯科国立大学 [3]托木斯科强流研究所 [4]香港城市大学

出　　处：《真空》1998年第3期39-42,共4页Vacuum

摘　　要：本文介绍了等离子体源的构造和性能，在较高真空条件下实现离子强化和镀膜一体化技术。氮离子流强达到８ｍＡ／ｃｍ２、氮化速度达到８０μｍ／ｈｒ，在材料表面形成良好的力学梯度，提高膜基结合力和服役寿命。AbstractThe construction and properties of plasma source with filament and hollow cathode was introduced in details, the ion current of nitrogen can be got to 8 mA/cm2 and the plasma source ion nitriding rate can be got to 80 μm/hr. The plasma source ion nitridingcoating technology (duplex technology) is available to improve the mechanism property and adhesion of film to substrate.

关 键 词：等离子体源 氮化 镀膜 耐蚀性 

分 类 号：O53[理学—等离子体物理] TG174.442[理学—物理]