ICP-AES法测定氮化铝晶体中8种掺杂元素的含量  

作　　者：施洪钧[1] 王利[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,北京100190

出　　处：《分析化学》2009年第A01期75-75,共1页Chinese Journal of Analytical Chemistry

摘　　要：AIN晶体是直接宽带隙半导体，被广泛用于制作紫外LEDs、蓝光一紫外固态LDs、激光器、紫外探测器和高温、高频、高功率电子器件等。在AIN晶格中掺入过渡金属元素使其呈现出铁磁性是科学工作者研究的一个很重要的方向。由于AIN具有很强的晶体场，过渡金属掺入AIN晶格以后会受晶体场的影响，产生不同的化合态和能级，从而产生光致发光现象。本文用ICP-AES法对AIN晶体中掺杂的8种元素的含量进行了分析，并取得了满意的结果。

关 键 词：ICP-AES法 掺杂元素 晶体场 氮化铝 过渡金属元素 紫外探测器 测定 宽带隙半导体 

分 类 号：TN23[电子电信—物理电子学] TG146.21[一般工业技术—材料科学与工程]