高热导氮化铝陶瓷基板量产控制因素  

Controlling Factors for High Volume Production of High Thermal Conductivity AIN Substrates

作　　者：刘志辉[1] 

机构地区：[1]西南电子设备研究所,成都610036

出　　处：《混合微电子技术》2009年第4期52-54,60,共4页Hybrid Microelectronics Technology

摘　　要：本文讨论了氮化铝陶瓷基板获得高热导率的基本原理，介绍了批量生产氮化铝陶瓷基板的控制因素，包括原料选择、排胶、烧结气氛控制等。Basic principles for high thermal conductivity AIN substrates are discussed. The controlling factors in AIN high volume production such as raw material choice, de - binding, sintering atmosphere controlling etc. were introduced in this paper.

关 键 词：氮化铝 热导率 烧结气氛 量产 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]