粗糙界面对铁磁半导体/d-波超导隧道结隧道谱的影响  

ROUGH INTERFACE SCATTERING EFFECT ON FERROMAGNETIC SEMICONDUCTOR/d-wave SUPERCONDUCTOR JUNCTIONS

作　　者：叶莉莉[1] 李红[1] 

机构地区：[1]中国石油大学物理科学与技术学院,山东东营257061

出　　处：《低温物理学报》2010年第1期57-60,共4页Low Temperature Physical Letters

基　　金：中国石油大学(华东)科研启动基金项目(批准号:Y071807)资助的课题

摘　　要：考虑到铁磁半导体和d-波超导体中空穴的有效质量和费米速度错配,运用推广了的Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论模型,研究了粗糙界面散射对铁磁半导体/d-波超导(FS/DS)隧道结的隧道谱的影响.研究表明:(1)铁磁半导体和d-波超导体中空穴的有效质量和费米速度错配对系统的微分电导影响显著;(2)粗糙界面散射对Andreev反射有抑制作用.Using the extended Blonder-Tinkham-Klapwijk （BTK） approach and Bogoliubov-de Gennes （BdG） equation,we have studied,taking into account the mismatches of the effective mass and Fermi velocity between the ferromagnetic semiconductor（FS） and d-wave superconductor（DS）,the effect of the rough interface scattering on the differential conductance in FS/DS junctions. It is found that：（1） The differential conductance is strongly dependent on the mismatches of the effective mass and Fermi velocity between the FS and DS. （2）The rough interfacescattering effect can suppress the Andreev reflection.

关 键 词：铁磁半导体 隧道谱 粗糙界面散射 

分 类 号：O511[理学—低温物理] O472.5[理学—物理]