单室沉积p-i-n型微晶硅薄膜太阳电池性能优化的研究  

Performance optimization of p-i-n type microcrystalline silicon thin films solar cells deposited in single chamber

作　　者：张晓丹[1] 孙福和[1] 许盛之[1] 王光红[1] 魏长春[1] 孙建[1] 侯国付[1] 耿新华[1] 熊绍珍[1] 赵颖[1] 

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071

出　　处：《物理学报》2010年第2期1344-1348,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA05Z436; 2009AA050602);天津市科技支撑计划(批准号:08ZCKFGX03500);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202602;2006CB202603);国家自然科学基金(批准号:60976051);科技部国际合作计划(批准号:2006DFA62390; 2006DFA62580);教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-08-0295)资助的课题~~

摘　　要：采用原位的氢等离子体处理技术和微晶覆盖技术来降低单室沉积p-i-n型微晶硅薄膜太阳电池中的硼污染问题.通过对不同处理技术所制备电池的电流密度-电压和量子效率测试结果的比较发现,一定的氢处理时间和合适的覆盖层技术都可以在一定程度上提高电池的性能,但每种方法的影响程度各异、文中对此异同进行了分析.通过对电池陷光结构和氢等离子体处理时间的优化,在单室中获得了效率为6.39%的单结微晶硅太阳电池.In-situ hydrogen plasma treating technique and burial method using microcrystalline silicon layer were used respectively to reduce the boron contamination in intrinsic layer for the p-i-n type microcrystalline silicon thin film solar cells deposited in single chamber. The measurement results of J-V relation and the quantum efficiency of solar cells proved that both of them improve the short circuit current density of solar cells to some extent. However, each method showed different effects on the other characteristic parameters of solar cells. By optimizing the hydrogen treating time and light trapping structure, single junction microcrystalline silicon thin film solar cell with 6.39% conversion efficiency has been fabricated in single chamber.

关 键 词：单室 微晶硅太阳电池 等离子体增强化学气相沉积 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]