抗坏血酸在聚槲皮素修饰电极上的电化学行为  

Electrochemical Behavior of Ascorbic Acid at Polyquercetin Modified Electrode

作　　者：刘素芹[1] 王启会[1] 刘慧宏[1] 

机构地区：[1]襄樊学院化学工程与食品科学学院,湖北襄樊441053

出　　处：《分析科学学报》2010年第1期100-102,共3页Journal of Analytical Science

基　　金：湖北省教育厅项目(Q20092505)

摘　　要：采用电聚合方法制备了一种新的聚槲皮素（PQu）修饰电极，并用循环伏安法研究了该电极的电化学行为。在pH=4．0的B-R缓冲溶液中有一对准可逆的氧化还原峰，实验表明聚槲皮素电极过程是2电子2质子的可逆反应。该膜对抗坏血酸有良好的电催化作用，氧化峰电流与抗坏血酸浓度在4．76×10^-6～1．0×10^-4mol／L范围内呈良好的线性关系，检出限达1．5×10^-6mol／L。尿酸不干扰抗坏血酸的测定。A novel polyquercetin （PQu） modified electrode was fabricated by electropolymerization. The modified electrode showed a quasi-reversibe reduction-oxidation peak in B-R buffer （pH = 4. 0）. The electrode process of polyquercetin is a two proton two electron reversible reaction. This polymer film exhibited electrocatalytie response to the oxidation of ascorbic acid. The response current revealed a good linear relationship with the concentration of ascorbic acid in the range of 4.76×10^-6～ 1.0 ×10^-4 mol/L with a detection limit of 1.5 ×10^-6 mol/L.

关 键 词：聚槲皮素 抗坏血酸 修饰电极 电催化 

分 类 号：O657.13[理学—分析化学]