多孔硅微腔的窄峰发射  

作　　者：熊祖洪[1] 廖良生[1] 袁帅[1] 丁训民[1] 蒋最敏[1] 胡东枝 秦捷[1] 裴成文[1] 侯晓远[1] 

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433

出　　处：《科学通报》1998年第24期2669-2670,共2页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金(批准号:19525410)资助项目

摘　　要：自从Canham发现多孔硅能高效率发射可见光以来,多孔硅的形成机理、发光机理、器件以及光电子集成研究都取得了很大进展.但到目前为止,多孔硅中是否存在激射现象还不很肯定.我们知道,微腔是实现激射的必要组成部分,它具有辐射功率的空间分布可调、发射峰的宽度可变、自发辐射得到加强或抑制以及激射阈值较低甚至有可能实现激射无阈值等特点.Pavesi等人曾利用交替变化腐蚀电流密度的方法制备了多孔硅微腔.基于用分子束外延生长多层膜具有好的可控性和界面特性。

关 键 词：多孔硅 微腔 激射 窄峰发射 发光机理 光学特性 

分 类 号：TN204[电子电信—物理电子学]