硅衬底上制备4H-SiC择优取向膜的一种新方法  

作　　者：傅正平[1] 杨碚芳[1] 刘如川 阮耀钟[1] 

机构地区：[1]中国科技大学材料科学与工程系

出　　处：《科学通报》1998年第21期2347-2348,共2页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金(批准号:69476005)

摘　　要：碳化硅（SiC）作为一种化学性能稳定的宽带隙半导体,是高温、抗辐射电子器件和短波长光电子器件的优选材料,倍受各国重视。在SiC常见多型中,4H-SiC比其它多型（6H或3C-SiC）有更宽的带隙,更高的电子迁移率和低的电子迁移率各向异性,所以更受青睐。 外延生长SiC薄膜,通常采用化学气相沉积,激光溅射法或分子束外延等方法。4H-SiC单晶薄膜一般在1500℃以上的温度下同质外延生长在4H-SiC单晶衬底上,所用设备复杂,产品成本很高。故探索在较低温度下生长优质4H-SiC薄膜的新途径具有重要意义。 我们曾利用短程结构与4H-SiC相似的非晶纳米氮化硅粒子的有机复合膜,经高温热解在单晶硅衬底上生长了4H-SiC多晶薄膜。在本文的工作中,我们利用LB膜技术,在单晶Si（111）衬底上对非晶氮化硅纳米微粒进行有序组装,形成氮化硅纳米微粒与聚酰亚胺复合的LB膜,经950℃真空热解,制得了以单晶硅为衬底,具有择优取向的4H-SiC晶态膜。

关 键 词：碳化硅 薄膜 择优取向膜 制备 半导体 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学]