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出 处:《应用光学》2010年第2期322-326,共5页Journal of Applied Optics
基 金:国家重点基础研究发展计划项目(2010CB923202);国家自然科学基金项目(10875018)
摘 要:为了提高单光子探测系统的灵敏度,实验采用InGaAs/InP雪崩光电二极管作为量子通信中的单光子探测器件,以门控脉冲模式实现了更高精度的单光子探测器的偏压生成电路、单光子信号放大电路、单光子信号检测电路和温度控制模块,并通过选用高精度前置放大器OP37和精密比较器AD8561,将量子效率提高到18.3%,暗计数控制小于4.1%×10-6/ns。In order to improve the sensitivity of single-photon detection systems, InGaAs/InP avalanche photodiode (InGaAs/InP APD) is used in the design of single photon detector of quantum communication. Single photon detector bias generation circuit in gate pulse mode, single-photon signal amplification circuit, single photon signal detection circuit and temperature control module were realized. By selecting high-precision OP37 preamplifier and precision comparator AD8561, quantum efficiency was increased to 18. 3%, dark count was controlled within 4.1 × 10^-6/ns.
关 键 词:单光子探测 门脉冲模式 雪崩光电二极管 量子通信
分 类 号:TN911.74[电子电信—通信与信息系统] O431[电子电信—信息与通信工程]
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