检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:霍汉明
出 处:《无线电》2010年第4期89-89,共1页Hands-on Electronics
摘 要:IGBT管是由BJT(双极性三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电子器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降两方面的优点。BJT饱和压降低,载流密度大,因而被广泛应用于电磁炉电路中。在检修中发现.IGBT管损坏的比例比较高,为此,本文以半球19B型电磁炉为例,谈谈IGBT管击穿的检修方法。掌握维修方法,可以提高维修思路,减少损失.事半功倍。
关 键 词:IGBT管 检修方法 电磁炉 击穿 MOSFET 高输入阻抗 BJT 电子器件
分 类 号:TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]
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