基于锗硅芯片的光电子学前景与挑战  

Prospects and Challenges of Si/Ge on Chip Optoelectronic Cells

作　　者：Erich Kasper 

机构地区：[1]德国斯图加特大学半导体研究所

出　　处：《光学与光电技术》2010年第2期1-6,共6页Optics & Optoelectronic Technology

摘　　要：作为微电子材料，硅具备许多优良的电学特性．采用硅材料的器件集成度能够比其他材料高几个数量级。然而．硅是一种间接带隙材料，其光学跃迁过程会引入大量低能的声子造成跃迁几率很低．导致其光学特性（发射与吸收）远不如Ⅲ/Ⅴ族半导体材料。

关 键 词：硅芯片 光电子学 微电子材料 半导体材料 电学特性 带隙材料 光学特性 跃迁几率 

分 类 号：TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]