论平板晶体中声学极化子自陷转变的可能性  

On the Possibility of the Self-trapping Transition of Acoustic Polarons in Crystal Slab

作　　者：侯俊华[1] 段晓峰[1] 

机构地区：[1]山西师范大学物理与信息工程学院,山西临汾041004

出　　处：《山西师范大学学报（自然科学版）》2010年第1期67-70,共4页Journal of Shanxi Normal University(Natural Science Edition)

基　　金：山西师范大学自然科学基金(项目编号YZ08019)

摘　　要：本文采用类Huybrechts变分法讨论了声学极化子在平板晶体,这种实际存在的准二维结构中自陷的可能性.并得到结论:声学极化子在Ⅲ -Ⅴ族化合物和大多数卤碱化物的平板结构中自陷的可能性很小;但空穴极化子在某些Ⅲ -Ⅴ族化合物,如GaN和AlN的平板结构中能够自陷.The possibility of the self-trapping transition of the acoustic polarons is discussed by using the Huybrechts-like variational approach.It can be concluded that the acoustic polarons are impossible to be self-trapped in most of the crystal slab of Ⅲ -Ⅴ compounds,even the alkali halides.But the self-trapping transition of the holes is expected to be observed in the crystal slab of Ⅲ -Ⅴ compounds,i.e.GaN and AlN.

关 键 词：平板晶体 声学极化子 自陷转变 

分 类 号：O471.3[理学—半导体物理]