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作 者:蒋鸣暄[1] 郑久红[1] 刘敏[1] 王作明[1]
机构地区:[1]中科院金属研究所,沈阳110015
出 处:《炭素》1998年第4期35-38,34,共5页Carbon
基 金:国家自然科学基金!59572027
摘 要:采用化学气相沉积方法,在石墨基体上,在1623K,666Pa的条件下制各了SiC含量从0~100wt%全范围变动的C—SiC复合涂层材料,X—射线衍射表明,当SiC含量低于34wt%时,SiC以(220)面择优取向,而当含量高于34wt%时,SiC以(111)面择优取向。本文还对复合涂层的密度及硬度等性能做了测试。C/SiC composite coatings with differen content of SiC from 0 to 100wt% were prepared on graphite matrix under the condition of 1623K, 666Pa. by using CVD method. The result showed that when the content of SiC below 34wt%. the preferred orientation of SiC in composite coating was (220), otherwise. the preferred orientation was (111) by X-ray. The hardness and density of composite coating were also measured.
分 类 号:TB332.03[一般工业技术—材料科学与工程]
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