铁磁/绝缘层/有机半导体/铁磁多层膜隧道结的隧穿磁电阻的温度和偏压特性研究  

The temperature and voltage dependence of the tunneling magnetoresistance in ferromagnet /insulator /organic semiconductor /ferromagnet magnetic tunneling junction

作　　者：张佩佩[1] 徐明[1] 陈尚荣[1] 吴艳南[1] 周勋[1,2] 刘杰[1] 

机构地区：[1]四川师范大学物理与电子工程学院&固体物理研究所低维结构物理实验室,成都610068 [2]贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳550001

出　　处：《中国科学：物理学、力学、天文学》2010年第4期433-439,共7页Scientia Sinica Physica,Mechanica & Astronomica

基　　金：贵州省科技厅应用基础研究项目(编号:黔科通J合[2006]2004);四川省教育厅自然科学重点项目资助(编号:07ZA095)

摘　　要：采用Slonczewski的近自由电子模型,利用转移矩阵的方法,研究了铁磁/绝缘层/有机半导体/铁磁隧道结的自旋极化载流子隧穿的温度和偏压特性.计算了T=4K和T=300K时,隧穿磁电阻(Tunneling Magnetic Resistance,TMR)随偏压的变化关系,同时还研究了零温时在有限偏压下隧穿磁电阻TMR与绝缘层厚度、有机半导体层厚度以及铁磁/有机半导体界面势垒U的变化关系.我们的计算结果较好地解释了有关的实验结论.Based on Slonczewski＇s free-electron approximation and transfer matrix method,the temperature and/or bias-voltage dependence of the spin-polarized tunneling electrons in ferromagnet/insulator/organic semiconductor/ferromagnet magnetic tunneling junction are investigated.The variation of tunneling magnetoresistance （TMR） with voltage are calculated at T=4 K and T=300 K.Furthermore,the dependence of TMR on the thickness of the insulator layer or organic semiconductor layer,and OSM/FM interface potential barrier U were studied.The experimental observation reported recently can be well explained based on our calculations.

关 键 词：多层膜 有机半导体 绝缘体 铁磁层 隧穿磁电阻 

分 类 号：O472.5[理学—半导体物理]