功率MOSFET并联应用  

Power MOSFET paralleling application

作　　者：葛小荣 

机构地区：[1]万代半导体元件(上海)有限公司,上海201203

出　　处：《电子技术应用》2010年第5期91-93,共3页Application of Electronic Technique

摘　　要：从线路布线和参数配置等方面分析了导致MOSFET并联时电压和电流不均衡的原因,并联MOSFET易产生振荡的原因作了详细的分析,并辅以仿真说明振荡产生的原因。Analyzed the root cause of voltage and current unbalance when paralleling MOSFET from PCB layout and driver parameters aspect. At the same time, introduced the oscillation when paralleling MOSFET in detail with circuit simulation.

关 键 词：功率MOSFET 并联 振荡 

分 类 号：TN609[电子电信—电路与系统]