一种新型的高电源抑制比带隙基准源的设计  

Design of A Novel Bandgap Voltage Reference with High Power Supply Rejection Ratio

作　　者：牛宗超[1] 杨发顺[1] 吴宗桂[1] 丁召[1] 张正平[1] 

机构地区：[1]贵州大学理学院微纳电子与软件技术重点实验室,贵州贵阳550025

出　　处：《贵州大学学报（自然科学版）》2010年第2期59-61,69,共4页Journal of Guizhou University:Natural Sciences

基　　金：国家自然科学基金(60666001);教育厅项目(黔教科2008004号);贵州省自然科学基金(黔科合丁字[2008]3033);喀斯特地区灾后农村信息化建设项目子课题(2008BADB6B01-03);喀斯特地区灾后农村信息化建设项目子课题(2008BADB6B02-06);贵州省科技厅中药现代化专项(黔科合社字[2009]5015);贵州省科技厅农业攻关项目(黔科合NY字(2009)3051)

摘　　要：利用有源PMOS负载反相器组成电压减法器,将电源噪声引入运放反馈,得到了一种高电源抑制比的基准电压源。对基准源的低频电源噪声抑制进行了推导和分析。仿真结果表明,在3 V电源电压下,在-40-85℃范围内,温度系数低于1.976 ppm/℃;在27℃下,1 KHz时,电源抑制比达88 dB.A new CMOS bandgap voltage reference with high power supply rejection ratio was designed by using the structure of Voltage-subtractor integrated by active PMOS,which feeds the supply noise directly into the feedback loop.PSRR of the voltage reference at low frequency was analyzed.Simulation results show that the circuit had a temperature coefficient of 1.976 ppm/℃ at 3V supply voltage from-40 to 85℃ and a PSRR up to 88dB at 27℃,1 KHz.

关 键 词：带隙基准源 温度系数 电源抑制 电压减法器 运放反馈 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]