铟锡氧化物电极中In的扩散对有机薄膜电致发光器件发光区暗斑形成的影响  

作　　者：廖良生[1] 缪熙月[1] 周翔[1] 熊祖洪[1] 何钧[1] 邓振波 侯晓远[1] 

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433

出　　处：《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1999年第1期84-89,共6页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:69776034)

摘　　要：为了研究有机薄膜电致发光器件发光区暗斑的形成,制备了Al/8-羟基喹啉铝/铟锡氧化物/玻璃衬底结构的发光器件,观察了器件失效前后的表面形貌,并对器件进行了微区Auger能谱分析.结果表明,铟锡氧化物电极表面In向有机层内的扩散是产生微区高电场、从而形成发光区暗斑的一个不可忽视的重要因素.

关 键 词：有机薄膜 失效 电致发光器件 铟锡氧化物 电极 

分 类 号：TN383.1[电子电信—物理电子学]