金刚石晶体生长研究进展  

Research Progress on Synthetic Diamond Crystals

作　　者：赵刚[1] 赵江[1] 张亚非[1] 

机构地区：[1]上海交通大学微纳米科学技术研究院,微米/纳米加工技术国家级重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海200240

出　　处：《上海交通大学学报》2010年第4期584-587,592,共5页Journal of Shanghai Jiaotong University

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50730008);上海市科学技术基金资助项目(09520714400)

摘　　要：介绍利用高温高压(HPHT)合成高质量金刚石单晶和化学气相沉积法(CVD)制备金刚石薄膜的设备、方法、工艺参数以及热丝CVD和微波等离子体CVD的优缺点;P型和N型金刚石掺杂研制现状.重点介绍N型金刚石掺杂的困难,氮、锂、钠、磷、硫等杂质的掺杂效果,共掺杂对于金刚石薄膜的影响,以及近年来P型和N型掺杂取得的成果.This article introduced an overview of the growth of synthetic diamond single crystals,by the high-pressure and high-temperature（HPHT） method and the chemical vapor deposition（CVD） method.The advantages and disadvantages of two main CVD technologies,which are hot flame CVD and microwave CVD,were compared.The research development of doping diamond to P and N types,the doping effects of N,Li,Na,P,S,and the impact of B-S codoping were also presented.

关 键 词：金刚石 高温高压 化学气相沉积 掺杂 

分 类 号：TQ164[化学工程—高温制品工业] TQ125