微小孔阵列垂直腔面发射激光器的研究  

Study of Subwavelength Hole Array Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser

作　　者：高建霞[1] 宋国峰[2] 

机构地区：[1]河北理工大学信息学院,河北唐山063009 [2]中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室,北京100083

出　　处：《激光与光电子学进展》2010年第5期84-86,共3页Laser & Optoelectronics Progress

摘　　要：在980nm波长的大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的基础上制备了高输出功率的微小孔阵列半导体激光器,其最大输出光功率达到了1mW。介绍了针对微小孔阵垂直腔面发射激光器的特殊制备工艺,并对其特性进行了分析。Subwavelength hole array vertical-cavity surface-emitting laser （VCSEL） is fabricated based on high power 980 nm VCSEL. The far-field output power reaches 1 mW. The special fabrication process is introduced and the characteristic of the device is also analyzed.

关 键 词：激光器 近场光学 垂直腔面激光器 输出光功率 时域有限差分法 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]