杨教授视点 智能电网技术 15kVSiCIGBT的发展及其对电力应用的影响（中）  

作　　者：JUN WANG ALEX Q. HUANG WOONGJE SUNG YU LIU B. JAYANT BALIGA 张永鑫（译） 田书欣（译） 杨喜军（译） 姜建国（译） 

出　　处：《变频器世界》2010年第5期22-23,共2页The World of Inverters

摘　　要：15-kV SiC IGBT的设计与优化 图3给出了15-kVN沟道4H-SiC IGBT的半单元截面图。4H-SiC n^＋衬底上生长有外延层。厚3μm、1×10^19cm^-3掺杂的P＋发射极层是第一个外延层。其后是n型底部缓冲层（场塞）,厚5μm,掺杂浓度1×10^17cm^-3,可以防止场击穿,同时实现了较好的性能折中。

关 键 词：电网技术 电力应用 4H-SIC 智能 IGBT 掺杂浓度 外延层 N沟道 

分 类 号：TM727[电气工程—电力系统及自动化]