低应力Si_3N_4介质膜的制备工艺优化  

作　　者：李海博[1] 齐虹[1] 王晓光[1] 李玉玲[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十九研究所芯片与微系统工程中心,黑龙江哈尔滨150001

出　　处：《中国新技术新产品》2010年第14期18-18,共1页New Technology & New Products of China

摘　　要：低应力Si3N4介质膜对于制作微结构传感器是非常重要的。本文通过采用正交试验设计,优化出Si3N4介质膜制备的低应力工艺参数,并给出了Si3N4薄膜应力的测试方法和测试结果。

关 键 词：正交试验 低应力Si3N4 优化 应力测试 

分 类 号：TQ028.8[化学工程]