GaAs体材料折射率红外椭圆偏振光谱研究  

STUDY ON THE REFRACTIVE INDEX OF GaAs BULK MATERIAL BY INFRARED SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY

作　　者：黄志明[1,2] 季华美[1,2] 陈敏挥[1,2] 史国良[1,2] 陈诗伟[1,2] 陈良尧[1,2] 褚君浩[1,2] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 [2]复旦大学物理系

出　　处：《红外与毫米波学报》1999年第1期23-25,共3页Journal of Infrared and Millimeter Waves

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：报道了采用红外椭圆偏振光谱术测量ＧａＡｓ体材料折射率，测量范围为２．５～１２．５μｍ，并将所得实验数据与理论计算和其它实验结果进行了对比，表明了实验结果的可靠性．The refractive index of GaAs bulk material was studied using infrared spectroscopic ellipsometer (2.5￣12.5μm).Comparisons with data obtained by other methods were also presented, showing good agreement between them.

关 键 词：红外 椭圆偏振光谱 折射率 体材料 砷化镓 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] O472.3[理学—半导体物理]