基于CMOS工艺的全芯片ESD保护电路设计  

Design of All Chip ESD Protection Circuit Based on CMOS Process

作　　者：向洵[1] 刘凡[2] 杨伟[2] 徐佳丽[2] 

机构地区：[1]重庆科技学院数理系,重庆401331 [2]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060

出　　处：《微电子学》2010年第3期396-399,共4页Microelectronics

摘　　要：介绍了几种常用ESD保护器件的特点和工作原理,通过分析各种ESD放电情况,对如何选择ESD保护器件,以及如何设计静电泄放通路进行了深入研究,提出了全芯片ESD保护电路设计方案,并在XFAB 0.6μm CMOS工艺上设计了测试芯片。测试结果表明,芯片的ESD失效电压达到5 kV。Characteristics and operational principle of ESD protection devices were presented.Based on the analyses of ESD discharge,methods for designing all chip ESD protection circuit was described,imcluding the usage of ESD protection device and the design of electrostatic discharge path.Test chip was fabricated in XFAB＇s 0.6 μm CMOS process.Test results showed that the ESD failure voltage reached up to 5 kV.

关 键 词：CMOS ESD 全芯片ESD保护 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]