单片CMOS UHF RFID阅读器中低噪声LC VCO的设计  

A Single-chip Low Phase Noise LC VCO for CMOS UHF RFID Reader

作　　者：何伟[1] 徐萍[1] 张润曦[1] 张勇[1] 李彬[1] 陈子晏[1] 马和良[1] 赖宗声[1,2] 

机构地区：[1]华东师范大学微电子电路与系统研究所,上海200062 [2]华东师范大学纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心,上海200062

出　　处：《固体电子学研究与进展》2010年第2期234-239,共6页Research & Progress of SSE

基　　金：上海AM基金资助项目(07SA0);上海重点学科建设项目(B411)

摘　　要：设计了一种应用于单片CMOS超高频射频识别阅读器中的低功耗、低相位噪声LC VCO。根据超高频射频识别阅读器的系统架构和协议要求,对本振相位噪声要求做出详细讨论;采用LC滤波器和低压差调压器分别对尾电流源噪声和电源噪声进行抑制,提高了VCO相位噪声性能。电路采用IBM 0.18μm RF CMOS工艺实现,电源电压3.3 V时,偏置电流为4.5 mA,中心频率为1.8 GHz,在频偏1 MHz处,相位噪声为-136.25 dBc/Hz,调谐范围为30%。A single-chip low power consumption and low phase noise LC VCO for CMOS UHF RFID reader is proposed in this paper. Requirements for VCO phase noise in UHF RFID reader are concluded based on the analysis of applications and system framework.LC filter and Low Drop-Output regulator are presented to suppress thermal noise from tail current and noise from power supply respectively.The proposed circuit is implemented with IBM 0.18 μm RF CMOS process.The VCO achieves a tuning range of 30% and phase noise of-136.25 dBc/Hz at a 1 MHz offset from 1.8 GHz carrier while drawing 4.5 mA from a 3.3 V power supply.

关 键 词：互补金属氧化物半导体 电感电容压控振荡器 相位噪声 超高频射频识别 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学] TN752