高功率、长寿命GaAs光电导开关  

作　　者：杨宏春[1] 崔海娟[1] 孙云卿[1] 曾刚[1] 吴明和[1] 

机构地区：[1]电子科技大学物理电子学院,成都610054

出　　处：《科学通报》2010年第16期1618-1625,共8页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金(10804016);瞬态光学与光子技术国家重点实验室基金(YAK200501)资助项目

摘　　要：通过改进GaAs光导开关衬底材料研制工艺、机械结构设计、欧姆电极研制工艺、绝缘封装工艺和脉冲电源馈电方式,研制了3mm异面电极的GaAs光导开关.在56.12μJ光能激励、1kHz重频、15kV偏压、50?负载实验条件下,测得光导开关使用寿命超过3.6×106次,输出电脉冲峰值功率2MW、脉冲宽度2ns、触发抖动方均根值为65ps;最高工作电场达到100kV/cm,对应峰值功率达到10MW;实验还给出了光导开关电压转换效率、触发抖动随偏压升高的测试结果;考虑GaAs对1064nm光吸收系数随电场的变化,定量分析了光导开关电压转换效率随偏压变化的实验现象.

关 键 词：光导开关 高功率 长寿命 触发抖动 光吸收系数 

分 类 号：TM564[电气工程—电器]