Si对TiSiN膜组成结构的影响  

The Effect of Si Content on Composition and Construction of iSiN Films

作　　者：石玉龙[1] 彭红瑞[1] 李世直[1] 

机构地区：[1]青岛化工学院等离子体表面技术研究所,山东青岛266042

出　　处：《功能材料》1999年第1期66-67,共2页Journal of Functional Materials

摘　　要：报告了等离子化学气相沉积（PCVD）硬膜TiSiN中Si对膜的影响。沉积膜经过电子探针（EMPA）、扫描电镜（SEM）、X射线（XRD）和X光电子谱（XPS）分析。实验表明，在TiN的气相沉积中加入少量Si可以明显改善膜的结构和组成。The paper reports the effects of different Si contents on the composition and construction of TiSiN films. The films were analysedwith EMPA, SEM, XRD and XPS. It was found that a small addition of Si to TiN film improved the morphology and property singificantly.

关 键 词：PCVD TiSiN膜 显微分析 硅 结构 组成 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]