李世直

作品数：37被引量：74H指数：5
导出分析报告
供职机构：青岛科技大学更多>>
发文主题：PCVD氮化钛等离子体化学气相沉积等离子体化学气相沉积更多>>
发文领域：金属学及工艺理学一般工业技术电子电信更多>>
发文期刊：《表面技术》《青岛科技大学学报（自然科学版）》《机械工程材料》《真空电子技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
纳米复合超硬薄膜中与界面有关的弛豫现象
《物理学进展》2006年第3期309-313,共5页方前锋 刘庆 李朝升 李世直 Veprek S. 
国家自然科学基金项目(批准号:10274086)
利用内耗技术研究了TiSiN系列纳米复合超硬薄膜的结构弛豫和硬化机理。当共振频率大约在100Hz时在230～280℃范围内观察到一个弛豫型的内耗峰。计算出激活能为0．7～1．0eV，弛豫时间指数前因子为10^-10～10^-12秒。对比一系列样品。发...
关键词：超硬薄膜 TiSiN 内耗 界面 
反应磁控溅射法制备nc-TiN/a-Si_3N_4薄膜的Young's模量和内耗被引量：3
《金属学报》2003年第11期1193-1196,共4页李朝升 王先平 方前锋 S.Veprek 李世直 
国家自然科学基金10274086;德国大众汽车基金I/77 192资助项目
利用振簧技术测量了不同退火状态下的nc-TiN/a-Si3N4超硬薄膜的Yong's模量和内耗随温度的变化关系.在280—300℃附近观察到一个弛豫内耗峰.随着退火温度的升高,该内耗峰逐渐减弱,而Young's模量变化不大.750℃退火后,该内耗峰消失,而模...
关键词：纳米TiN/非晶Si3N4薄膜 内耗 Young’8模量 非稳定界面 
等离子体化学气相沉积TiN涂层的后热处理技术研究被引量：9
《真空科学与技术》2000年第5期366-369,共4页赵程 彭红瑞 谢广文 李世直 
为了提高等离子体化学气相沉积 (PCVD)涂层的质量 ,改善基体材料的机械性能 ,更好地发挥PCVD硬质涂层的使用效果 ,采用了先沉积后热处理的新工艺。结果表明 ,热处理温度对PCVD TiN涂层的化学成分、显微结构和性能有较大的影响。随着处...
关键词：TIN涂层 后热处理 PCVD 金属表面强化 
沉积电压对辅助加热PCVD-TiN涂层的影响
《青岛化工学院学报（自然科学版）》2000年第2期131-133,共3页赵程 彭红瑞 谢广文 李世直 
山东省自然科学基金项目 !(F110 93)
研究了不同的沉积电压对辅助加热式PCVD -TiN涂层的影响。实验证明 ,提高沉积电压可以细化TiN涂层的柱状晶结构 ,增加TiN涂层的显微硬度和沉积速率。在试验范围内 。
关键词：辅助加热式 PCVD 沉积电压 氮化钛 涂层 沉积 
MOPCVD制备Ti(CN)硬膜研究被引量：9
《真空科学与技术》2000年第1期60-62,共3页石玉龙 彭红瑞 李世直 
山东省自然科学基金资助课题
采用金属有机物四异丙基钛 (Ti[OC3 H7]4 )为钛源 ,在辅助加热PCVD设备上进行沉积Ti(CN)涂层研究。并对涂层进行了显微硬度测量、扫描电镜观察和X射线衍射分析。结果表明 ,此法制备的Ti(CN)涂层其显微硬度可达 15 6 80N/mm2 。Ti(CN)涂...
关键词：PCVD技术 硬膜技术 四异丙基钛 碳氮化钛 
Si对TiSiN膜组成结构的影响被引量：4
《功能材料》1999年第1期66-67,共2页石玉龙 彭红瑞 李世直 
报告了等离子化学气相沉积（PCVD）硬膜TiSiN中Si对膜的影响。沉积膜经过电子探针（EMPA）、扫描电镜（SEM）、X射线（XRD）和X光电子谱（XPS）分析。实验表明，在TiN的气相沉积中加入少量Si可以明显改善膜的结构和组成。
关键词：PCVD TiSiN膜 显微分析 硅 结构 组成 
用Ti(OC_3H_7)_4制备Ti(CN)涂层研究
《真空电子技术》1998年第5期36-39,共4页石玉龙 彭红瑞 李世直 
山东省自然科学基金
文章叙述了采用金属有机物四异丙基钛（Ｔｉ［ＯＣ３Ｈ７］４］为钛温，在外加热ＰＣＶＤ设备上沉积Ｔｉ（ＣＮ）涂层。并对涂层进行了其显微硬度测量，扫描电镜（ＳＥＭ）观察和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析。结果表明，此法制备的Ｔｉ（...
关键词：金属有机物 等离子体 四异丙基钛 碳氮化钛 
辅助加热PCVD-TiN薄膜的制备及影响因素
《青岛化工学院学报（自然科学版）》1998年第3期273-277,共5页彭红瑞 石玉龙 谢雁 李世直 赵程 
研究了反应气体对辅助加热ＰＣＶＤＴｉＮ薄膜制备的影响。结果表明，提高反应气体中ＴｉＣｌ４的含量可以提高薄膜的沉积速率，而且对薄膜内的氯含量没有影响。提高反应气体中的Ｖ（Ｈ２）／Ｖ（Ｎ２）可以略降低薄膜内的氯含量，在Ｖ...
关键词：辅助加热 PCVD TIN薄膜 薄膜 制备 
辅助加热PCVD-TiN薄膜的性能及结构分析被引量：2
《金属热处理》1998年第8期15-17,共3页彭红瑞 石玉龙 谢雁 李世直 赵程 
研究了反应气体对辅助加热ＰＣＶＤ－ＴｉＮ薄膜制备的影响。结果表明，提高反应气体中ＴｉＣｌ４的含量ＴｉＮ薄膜内的氯含量基本不变。提高反应气体中的Ｈ２／Ｎ２比可以略降低薄膜内的氯含量，在Ｈ２／Ｎ２＝２、ＴｉＣｌ４约为１０...
关键词：辅助加热 PCVD 反应气体 薄膜 氮化钛 高速钢 
气相沉积中电阻真空计的使用问题
《真空》1998年第4期42-45,共4页石玉龙 彭红瑞 李世直 
本文叙述了气相沉积中使用电阻真空计遇到的一些问题及解决的方法。
关键词：气相沉积 真空计 电阻真空计 CVD PVD 真空镀膜 
全选清除导出
共4页<1234>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部